文化赋能高质量发展，建设活力迸发魅力四射的“不夜之城”

近年来，文化受西方文化的影响，中国的文艺作品中也较多的出现了狼的影子，例如《狼图腾》。

氧化铪(HfO2)基铁电材料由于能够集成到硅电子器件中，高质成为下一代纳米器件的最有前途的候选材料之一。铁电HfO2在纳米厚度下仍然可以表现出强大的电偶极子，展之城并且与现代互补金属氧化物半导体（CMOS）技术兼容，使得铁电存储器（FeRAM）的实现成为可能。

因此，建设一种与CMOS兼容且稳定的r-HZO基材料不仅可以从根本上解决铪基铁电优化的困境，而且还可以保留HZO材料的优点。然而，活力铁电Hf(Zr)O2（HZO）的高矫顽场(Ec)导致高工作电压，是限制FeRAM在最先进技术中应用的关键问题。三、迸发不夜【核心创新点】作者发现了一种新型铁电材料—菱面体铁电Hf(Zr)1+xO2，该材料具有超低的矫顽场和超高的耐久性。

然而，魅力这种t-HZO的单侧极化反转剩余极化强度（Pr）仅为o-HZO的一半。与o-HZO不同，文化r-HZO的偏振切换不仅取决于晶体偏振，还取决于缺陷迁移等外在因素。

一、高质【导读】随着信息技术的快速发展，高质存储器件的需求越来越高，铁电存储器器件由于其具有高密度、高速度、低功耗等优点，被认为是下一代非挥发性存储器器件的重要发展方向。

四、展之城【数据概览】图1 平面金属-铁电-金属（MFM）电容器及Hf(Zr)1+xO2薄膜的结构表征（我就是个工具人，建设在母猫眼里我就是背景板。

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